삼성전자, 50나노급 2Gb DDR3 세계첫 양산공정 : 50나노미터급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 50나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 삼성전자가 개발한 60나노급 2Gb DDR2 D램의 최대 속도인 초당 800메가비트(Mbps)보다 약 1.6배 빠른 초당 1.333기가비트(Gbps)를 구현한다. 또 단품 칩의 크기가 작아져 생산효율도 기존보다 60% 이상 향상됐다.삼성전자는 이번 50나노급 DDR3 D램으로 서버용 8기가바이트(GB) RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module), 워크스테이션 및 데스크톱 PC용 4GB UDIMM(Unbuffered DIMM), 노트북용 4GB SODIMM(Small Outline Dual In-line Memo..
